本设备为全球首款金属二维半导体单晶有机化学气相沉积（MOCVD）系统，专为高质量、大面积单晶过渡金属硫族化合物（如 MoS₂、WS₂、WSe₂等）的研发与量产设计。系统配备 2 通道金属有机源与 2 通道气态前驱体，可实现源流量、温度等关键参数的精确控制，并集成实时监测模块，有效保障外延过程的稳定性与一致性。所制备的二维半导体薄膜具有面内均匀性高达 99.5%、层数可控、缺陷密度低等优势。在 8 英寸单晶晶圆任意位置，载流子迁移率超过 100 cm²/V·s，光电响应度高达 10⁵ A/W，器件性能显著优于传统 CVD 工艺，适用于下一代高性能电子与光电子器件的集成制造。

应用展示