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二维半导体材料又分为MoS2单晶和MoS2多晶

S单晶系列

特性

特性
尺寸
目标应用
MoS2-1

•单层

•无晶界

•优异的电学性能

•畴区单向性>90%

•参考迁移率 100\ \mathrm{cm}^2\cdot\mathrm{V}^{-1}\cdot\mathrm{s}^{-1}

•蓝宝石
•硅片

•玻璃

•石英

•PI/PET





•10 mm * 10 mm

•2-8 英寸晶圆




•集成电路

•量子电容

•高灵敏度传感器

•射频器件

•光电器件

•自旋电子学

MoS2-2

•单层

•无晶界

•畴区单向性>80%

•参考迁移率 80\ \mathrm{cm}^2\cdot\mathrm{V}^{-1}\cdot\mathrm{s}^{-1}

MoSe2

•单层

•无晶界


•10 mm * 10 mm

•2-8 英寸晶圆



•光电器件

•光电探测器

•基础研究


P多晶系列
特性
衬底 尺寸
目标应用
MoS2

•单层

•适用于规模化应用

•参考迁移率 35\ \mathrm{cm}^2\cdot\mathrm{V}^{-1}\cdot\mathrm{s}^{-1}

•蓝宝石
•硅片

•玻璃

•石英

•PI/PET

•10 mm * 10 mm

•2-12 英寸晶圆


•薄膜晶体管

•柔性电子

•低成本传感器

•光催化

WSe2

•单层

•适用于规模化应用

•10 mm * 10 mm

•2-4 英寸晶圆

WS2

•单层

•适用于规模化应用

•10 mm * 10 mm

•2-4 英寸晶圆

MoSe2
•单层

•10 mm * 10 mm

•2-12 英寸晶圆

•光电器件

•光电探测器

•基础研究

X多晶系列
特性
衬底
尺寸
目标应用
3R-MoS2

•少层

•特殊对称性:具有铁电与非线性光学性能

•蓝宝石
•硅片

•玻璃

•石英

•PI/PET

•10 mm * 10 mm

•铁电存储器

•非线性光学器件

•扭角电子学

大晶畴

•基础研究

•本征性能

•2-6 英寸晶圆
•基础物理与化学研究

C/A-1°

/蓝宝石

•台阶高度≤0.4 nm,台阶均匀

•镧(La)均匀修饰

•2-6 英寸晶圆
•用于单晶材料生长