详细信息
二维半导体材料又分为MoS2单晶和MoS2多晶
| S单晶系列 |
特性 |
特性
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尺寸 |
目标应用
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|---|---|---|---|---|
| MoS2-1 |
•单层 •无晶界 •优异的电学性能 •畴区单向性>90% •参考迁移率 100\ \mathrm{cm}^2\cdot\mathrm{V}^{-1}\cdot\mathrm{s}^{-1} |
•蓝宝石
•硅片 •玻璃 •石英 •PI/PET |
•10 mm * 10 mm •2-8 英寸晶圆 |
•集成电路 •量子电容 •高灵敏度传感器 •射频器件 •光电器件 •自旋电子学 |
| MoS2-2 |
•单层 •无晶界 •畴区单向性>80% •参考迁移率 80\ \mathrm{cm}^2\cdot\mathrm{V}^{-1}\cdot\mathrm{s}^{-1} | |||
| MoSe2 |
•单层 •无晶界 |
•10 mm * 10 mm •2-8 英寸晶圆 |
•光电器件 •光电探测器 •基础研究 |
| P多晶系列
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特性
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衬底 | 尺寸
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目标应用
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| MoS2
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•单层 •适用于规模化应用 •参考迁移率 35\ \mathrm{cm}^2\cdot\mathrm{V}^{-1}\cdot\mathrm{s}^{-1} |
•蓝宝石
•硅片 •玻璃 •石英 •PI/PET |
•10 mm * 10 mm •2-12 英寸晶圆 |
•薄膜晶体管 •柔性电子 •低成本传感器 •光催化 |
| WSe2
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•单层 •适用于规模化应用 |
•10 mm * 10 mm •2-4 英寸晶圆 | ||
| WS2
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•单层 •适用于规模化应用 |
•10 mm * 10 mm •2-4 英寸晶圆 | ||
| MoSe2
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•单层 |
•10 mm * 10 mm •2-12 英寸晶圆 |
•光电器件 •光电探测器 •基础研究 |

| X多晶系列
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特性
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衬底
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尺寸
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目标应用
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| 3R-MoS2
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•少层 •特殊对称性:具有铁电与非线性光学性能 |
•蓝宝石
•硅片 •玻璃 •石英 •PI/PET |
•10 mm * 10 mm
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•铁电存储器 •非线性光学器件 •扭角电子学 |
| 大晶畴
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•基础研究 •本征性能 |
•2-6 英寸晶圆
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•基础物理与化学研究
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C/A-1° /蓝宝石 |
•台阶高度≤0.4 nm,台阶均匀 •镧(La)均匀修饰 |
•2-6 英寸晶圆
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•用于单晶材料生长
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